El fabricante de chips afirmó que fue el primero en producir en masa un chip HBM de quinta generación, con envíos programados de siete meses
SK Hynix adelantó la preparación del primer envío de su chip de memoria de alto ancho de banda (HBM) de próxima generación para un cliente que se cree que es Nvidia a finales de mes, después de comenzar la producción en masa del silicio HBM3E.
El fabricante de chips afirmó que fue el primero en producir en masa un chip HBM de quinta generación, con envíos programados siete meses después de que se anunciara el desarrollo de HBM3E.
Sungsoo Ryu, director de Negocio HBM de SK Hynix, dijo que el éxito de la unidad y las sólidas asociaciones con los clientes construidas a lo largo de años significan que la empresa “consolidará su posición como proveedor total de memoria de IA”.
Dado que la memoria de IA funciona a una velocidad extremadamente alta, controlar el calor es un requisito clave: SK Hynix afirmó que HBM3E ofrece una mejora del 10 por ciento en la disipación de calor en comparación con la generación anterior utilizando el avanzado proceso de relleno inferior moldeado por reflujo en masa (MR-MUF).
SK Hynix explicó que MR-MUF es el proceso de apilar semiconductores e inyectar materiales líquidos entre ellos “para proteger el circuito entre chips y endurecerlos”.
Añadió que el proceso demostró ser “más eficiente y eficaz para la disipación de calor en comparación con el método de colocación de materiales tipo película para cada pila de chips”.
La empresa argumentó que el proceso es “crítico para asegurar una producción en masa estable en el lado de la oferta del ecosistema de HBM”.
Reuters informó la semana pasada que su rival Samsung, que utiliza el método de película no conductora, está buscando implementar la técnica MR-MUF para mejorar el rendimiento de producción de sus chips HBM.
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